Türkiye'nin en güncel forumlardan olan forumdas.com.tr'de forumda aktif ve katkısı olabilecek kişilerden gönüllü katkıda sağlayabilecek kişiler aranmaktadır.
Qualcomm'un en yeni üst seviye işlemcisi Snapdragon 888+, Samsung'un 5nm LPE işlemi kullanılarak üretiliyor. Görünüşe göre firma, yeni nesil üst seviye akıllı telefon çip seti Snapdragon 895'i üretmek için de Samsung'a bağlı kalabilir.
Popüler sızıntı kaynağı Ice Universe'in söylediğine (@UniverseIce) göre Snapdragon 895 çip seti, Samsung'un 4nm yonga üretim sürecini kullanacak. TSMC'nin 5nm kapasitesinin çoğunun bu yıl piyasaya sürülecek olan A15 ve M1X çip setleri için Apple tarafından işgal edildiği söylendiği için bu bilgi inandırıcı görünüyor. Ayrıca, TSMC'nin 4nm sürecini kullanarak Apple'ın yeni nesil iPad Pro çip setini ürettiği söyleniyor, bu da Qualcomm'un Samsung'dan yardım alması gerektiği anlamına geliyor.
Görünene göre Snapdragon 895, Samsung'un 4nm sürecini kullanmasının yanı sıra ARM'nin v9 mimarisine sahip olabilir. Snapdragon 895 çip setinin, ARM'nin yakın zamanda duyurulan Cortex-X2, Cortex-A710 ve Cortex-A510 CPU çekirdeklerine dayanan Kryo 780 CPU çekirdeklerine sahip olduğu söyleniyor. Ayrıca Adreno 730 GPU'yu, entegre bir Snapdragon X65 5G modemi ve dört kanallı LPDDR5 RAM desteğini kullanabilir.
Sızıntıda ayrıca Qualcomm'un Snapdragon 895+ için TSMC'nin 4nm işlemine geçeceği de iddia ediliyor ancak küçük bir çip seti yenilemesi için tamamen yeni bir üreticiye geçmek mantıklı görünmüyor. Geçmişte Qualcomm'un Snapdragon 888+ için TSMC'nin 5nm sürecine geçebileceği söylenmişti, ancak bu geçiş gerçekleşmedi. Bu yüzden bu bilgiye bir miktar şüphe ile yaklaşmakta fayda olacaktır.
Samsung şu anda 5nm sürecini kullanarak Exynos 2100 ve Snapdragon 888/888+ üretiyor. Güney Koreli üreticinin 5nm sürecinin TSMC'nin 5nm sürecinden daha kötü olduğu söylense de, bunun anlamı piyasadaki en iyi ikinci seçenek olması. Samsung'un, Qualcomm'un yeni nesil çip setleri için kullanabileceği geliştirilmiş 5nm sürecini bu yıl 4nm olarak başlatacağı bildiriliyor.
