Türkiye'nin en güncel forumlardan olan forumdas.com.tr'de forumda aktif ve katkısı olabilecek kişilerden gönüllü katkıda sağlayabilecek kişiler aranmaktadır.
Teknolojik aygıtların en temel yapıtaşı olan çiplerin içinde bulunan milyonlarca transistörün birbirine olan uzaklığı ve bu transistörlerin sayısı, çipin performansını direkt etkiliyor. Hasebiyle teknoloji dünyası da çipteki transistörler ortasındaki arayı azaltmaya ve transistörlerin sayısını artırmaya devam ediyor.
Günümüzde transistörler ortasındaki uzaklık artık yalnızca 3 nanometreye (nm) kadar düşmeye başlamışken bugün Samsung’dan değerli bir açıklama geldi. Samsung’un yarı iletken üretim departmanı Foundry, yeni duyurusunda Güney Kore’deki Hwaseong fabrikasında 3 nm yarı iletken çiplerin üretilmeye başladığını açıkladı.
%23 daha uygun performans sunulacak:
Samsung, yeni 3 nm çiplerinde kıymetli bir değişikliğe de imza attı. Daha evvel transistör mimarisi olarak FinFET’i kullanan şirket, artık GAA (Gate All Around) mimarisini benimseyeceğini paylaştı. Şirket, mimarideki bu değişimle güç verimliliğinin de artacağını bildirdi.
Samsung’un açıklamasında nazaran yeni 3 nm çipler, bir evvelki kuşak olan 5 nm çiplere nazaran %23 daha düzgün performans ve %45 daha az güç tüketimi sunacak. Bununla birlikte şirket, ikinci jenerasyon 3 nm çiplerinde de %50 güç verimliliği ve %30 daha âlâ performans sunacağını paylaştı. Samsung, yeni üretim sürecini Siemens ve Cadence üzere tüm müşterilerine sunacak.
Samsung, 3 nm üretim sürecini hayata geçiren birinci çip üreticisi oldu.
Bu ortada akıllı telefondan beyaz eşyaya tüm Samsung eserlerini incelemek ya da satın almak için buraya tıklayabilirsiniz.
